标准概要

半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法

The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials

国家标准《半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法》由610（中国有色金属工业协会）归口，主管部门为中国有色金属工业协会。主要起草单位有色金属研究总院。 GB/T 4298-1984 废止

基础信息

标准号 GB/T 4298-1984

发布日期 1984-03-28

实施日期 1985-03-01

废止日期 2017-12-15

标准号 GB/T 4298-1984

发布日期 1984-03-28

实施日期 1985-03-01

废止日期 2017-12-15

起草单位

有色金属研究总院

起草人

YS/T 363-2006 纯铑中杂质元素的发射光谱分析

YS/T 365-2006 高纯铂中杂质元素的发射光谱分析

YS/T 364-2006 纯铱中杂质元素的发射光谱分析

YS/T 362-2006 纯钯中杂质元素的发射光谱分析

YS/T 361-2006 纯铂中杂质元素的发射光谱分析

SN/T 2081-2008 氧化铝中杂质元素含量的测定微波溶样ICP-AES法

YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

EJ/T 20147-2016 钴粉及烧结钴芯块中镁等13种杂质元素的测定 ICP-AES法

SN/T 3363-2012 铅锭中杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法

YS/T 1599-2023 高纯锆化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法

推荐标准

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申明

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