标准概要

半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

国家标准《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位电子工业部标准化研究所。 GB 6219-1986 （全部代替） GB/T 6219-1998 现行本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-8-1:1987 QC 750112。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 6219-1998

发布日期 1998-11-17

实施日期 1999-06-01

全部代替标准 GB 6219-1986

标准号 GB/T 6219-1998

发布日期 1998-11-17

实施日期 1999-06-01

全部代替标准 GB 6219-1986

起草单位

电子工业部标准化研究所

起草人

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申明

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半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范