标准概要

硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）、全国有色金属标准化技术委员会联合归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位峨嵋山半导体材料厂。 GB/T 11073-1989 （全部代替） GB/T 11073-2007 现行 20233945-T-610 正在征求意见

基础信息

标准号 GB/T 11073-2007

发布日期 2007-09-11

实施日期 2008-02-01

全部代替标准 GB/T 11073-1989

标准号 GB/T 11073-2007

发布日期 2007-09-11

实施日期 2008-02-01

全部代替标准 GB/T 11073-1989

起草单位

峨嵋山半导体材料厂

起草人

20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法

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申明

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