标准概要

硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

国家标准《硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。主要起草人马林宝、唐有青、刘培东、李静、金龙、吕立平。 GB/T 14146-1993 （全部代替） GB/T 14146-2009 废止 GB/T 14146-2021 （全部代替）

基础信息

标准号 GB/T 14146-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2021-12-01

全部代替标准 GB/T 14146-1993

标准号 GB/T 14146-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2021-12-01

全部代替标准 GB/T 14146-1993

起草单位

南京国盛电子有限公司

信息产业部专用材料质量监督检验中心

宁波立立电子股份有限公司

起草人

马林宝

唐有青

金龙

吕立平

刘培东

李静

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申明

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