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标准概要
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 南京国盛电子有限公司 、宁波立立电子股份有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。 主要起草人 马林宝 、唐有青 、刘培东 、李静 、金龙 、吕立平 。 GB/T 14146-1993 (全部代替) GB/T 14146-2009 废止 GB/T 14146-2021 (全部代替)
基础信息
标准号
GB/T 14146-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2021-12-01
全部代替标准
GB/T 14146-1993
标准号
GB/T 14146-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
2021-12-01
全部代替标准
GB/T 14146-1993
起草单位
南京国盛电子有限公司
信息产业部专用材料质量监督检验中心
宁波立立电子股份有限公司
起草人
马林宝
唐有青
金龙
吕立平
刘培东
李静
推荐标准
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申明
本内容来源于国家标准化管理委员会及相关官方平台,本内容目的仅在于分享交流与学习。
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