标准概要

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。主要起草人李慎重、许峰、刘培东、谌攀、马林宝、何秀坤。 GB/T 14141-1993 （全部代替） GB/T 14141-2009 现行

基础信息

标准号 GB/T 14141-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

全部代替标准 GB/T 14141-1993

标准号 GB/T 14141-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

全部代替标准 GB/T 14141-1993

起草单位

宁波立立电子股份有限公司

信息产业部专用材料质量监督检验中心

南京国盛电子有限公司

起草人

李慎重

许峰

马林宝

何秀坤

刘培东

谌攀

推荐标准

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

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申明

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