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  标准概要

硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法

Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique
国家标准《硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 、山东有研半导体材料有限公司 、中环领先半导体材料有限公司 、浙江海纳半导体股份有限公司 、厦门万明电子有限公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、麦斯克电子材料股份有限公司 、浙江旭盛电子有限公司 。 主要起草人 朱志高 、陈俊宏 、陈凤林 、高海棠 、李素青 、朱晓彤 、由佰玲 、吕莹 、潘金平 、张海英 、胡晓亮 、方丽霞 、陈跃骅 、黄景明 。 GB/T 43315-2023 现行
  基础信息
标准号 GB/T 43315-2023
发布日期 2023-11-27
实施日期 2024-06-01
标准号 GB/T 43315-2023
发布日期 2023-11-27
实施日期 2024-06-01
  起草单位
  中环领先(徐州)半导体材料有限公司
  中环领先半导体材料有限公司
  厦门万明电子有限公司
  浙江金瑞泓科技股份有限公司
  浙江旭盛电子有限公司
  山东有研半导体材料有限公司
  浙江海纳半导体股份有限公司
  有色金属技术经济研究院有限责任公司
  麦斯克电子材料股份有限公司
  起草人
  朱志高
  陈俊宏
  李素青
  朱晓彤
  潘金平
  张海英
  陈跃骅
  黄景明
  陈凤林
  高海棠
  由佰玲
  吕莹
  胡晓亮
  方丽霞
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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