标准概要

硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法

Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method

国家标准《硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中电晶华（天津）半导体材料有限公司、有研半导体材料有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、无锡华润上华科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司。主要起草人骆红、潘文宾、杨素心、赵扬、赵而敬、张佳磊、李慎重、黄黎、严琴、黄宇程、皮坤林。 GB/T 14146-2009 （全部代替） GB/T 14146-2021 现行

基础信息

标准号 GB/T 14146-2021

发布日期 2021-05-21

实施日期 2021-12-01

全部代替标准 GB/T 14146-2009

标准号 GB/T 14146-2021

发布日期 2021-05-21

实施日期 2021-12-01

全部代替标准 GB/T 14146-2009

起草单位

南京国盛电子有限公司

中电晶华（天津）半导体材料有限公司

河北普兴电子科技股份有限公司

瑟米莱伯贸易（上海）有限公司

义乌力迈新材料有限公司

有色金属技术经济研究院有限责任公司

有研半导体材料有限公司

浙江金瑞泓科技股份有限公司

无锡华润上华科技有限公司

起草人

骆红

潘文宾

赵而敬

张佳磊

严琴

黄宇程

杨素心

赵扬

李慎重

黄黎

皮坤林

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