硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

国家标准《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 主要起草单位 乐山市产品质量监督检验所 、青海芯测科技有限公司 、江苏中能硅业科技发展有限公司 、亚洲硅业（青海）股份有限公司 、新特能源股份有限公司 、有研半导体硅材料股份公司 、四川永祥股份有限公司 、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 、江苏鑫华半导体材料科技有限公司 、洛阳中硅高科技有限公司 、新疆协鑫新能源材料科技有限公司 、国标（北京）检验认证有限公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、宜昌南玻硅材料有限公司 、江苏秦烯新材料有限公司 、义乌力迈新材料有限公司 。 主要起草人 梁洪 、赵晓斌 、万涛 、薛心禄 、魏东亮 、王彬 、邱艳梅 、杨素心 、李素青 、李朋飞 、赵培芝 、王永涛 、魏强 、楚东旭 、周延江 、刘文明 、刘红 、何建军 、皮坤林 。 GB/T 24581-2009 （全部代替） GB/T 24581-2022 现行