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  标准概要

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

Polycrystalline silicon--Examination method--Assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion
国家标准《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。 GB/T 4061-1983 废止 GB/T 4061-2009 (全部代替)
  基础信息
标准号 GB/T 4061-1983
发布日期 1983-12-20
实施日期 1984-12-01
废止日期 2010-06-01
标准号 GB/T 4061-1983
发布日期 1983-12-20
实施日期 1984-12-01
废止日期 2010-06-01
  起草单位
  峨嵋半导体材料厂
  起草人
  GB/T 4061-2009  硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
  GB/T 4060-2018  硅多晶真空区熔基硼检验方法
  GB/T 4059-2018  硅多晶气氛区熔基磷检验方法
  YS/T 724-2016  多晶硅用硅粉
  YS/T 1061-2015  改良西门子法多晶硅用硅芯
  YS/T 14-2015  异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
  GB/T 37896-2019  轻质晶体硅光伏夹层玻璃
  DB53/T 499-2013  多晶硅用三氯氢硅
  DB53/T 500-2013  多晶硅用三氯氢硅组分含量测定 气相色谱法
  DB53/T 501-2013  多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法
  推荐标准
  申明
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