标准概要

碳化硅单晶位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

国家标准《碳化硅单晶位错密度的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。主要起草人彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青。 GB/T 41765-2022 现行

基础信息

标准号 GB/T 41765-2022

发布日期 2022-10-12

实施日期 2023-05-01

标准号 GB/T 41765-2022

发布日期 2022-10-12

实施日期 2023-05-01

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司

有色金属技术经济研究院有限责任公司

起草人

彭同华

佘宗静

赵宁

王波

李素青

娄艳芳

王大军

郭钰

杨建

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