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  标准概要

硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》 由610(中国有色金属工业协会)归口 ,主管部门为中国有色金属工业协会。 主要起草单位 峨嵋半导体材料研究所 。 GB/T 11073-1989 废止 GB/T 11073-2007 (全部代替)
  基础信息
标准号 GB/T 11073-1989
发布日期 1989-03-31
实施日期 1990-02-01
废止日期 2008-02-01
标准号 GB/T 11073-1989
发布日期 1989-03-31
实施日期 1990-02-01
废止日期 2008-02-01
  起草单位
  峨嵋半导体材料研究所
  起草人
  20233945-T-610  硅片径向电阻率变化测量方法
  GB/T 11073-2007  硅片径向电阻率变化的测量方法
  GB/T 14144-2009  硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
  JB/T 3573-2004  滚动轴承 径向游隙的测量方法
  SJ/T 11627-2016  太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
  GB/T 6617-2009  硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
  GB/T 6618-2009  硅片厚度和总厚度变化测试方法
  GB/T 25769-2010  滚动轴承 径向游隙的测量方法
  SJ/T 11487-2015  半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
  GB/T 29505-2013  硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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