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  标准概要

氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
国家标准《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 、苏州纳维科技有限公司 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 、哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 、厦门柯誉尔科技有限公司 、山西华晶恒基新材料有限公司 、福建兆元光电有限公司 。 主要起草人 邱永鑫 、徐科 、王建峰 、任国强 、李腾坤 、左洪波 、郑树楠 、刘立娜 、杨鑫宏 、邝光宁 、丁崇灯 、陈友勇 。 GB/T 41751-2022 现行
  基础信息
标准号 GB/T 41751-2022
发布日期 2022-10-12
实施日期 2023-02-01
标准号 GB/T 41751-2022
发布日期 2022-10-12
实施日期 2023-02-01
  起草单位
  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  中国电子科技集团公司第四十六研究所
  厦门柯誉尔科技有限公司
  福建兆元光电有限公司
  苏州纳维科技有限公司
  哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司
  山西华晶恒基新材料有限公司
  起草人
  邱永鑫
  徐科
  李腾坤
  左洪波
  杨鑫宏
  邝光宁
  王建峰
  任国强
  郑树楠
  刘立娜
  丁崇灯
  陈友勇
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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