标准概要

锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals

国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位航空航天部8358研究所。 GB/T 11297.7-1989 现行

基础信息

起草单位

标准号

GB/T 11297.7-1989

发布日期

1989-03-31

实施日期

1990-01-01

标准类别

方法

中国标准分类号

L32

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

执行单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门

国家标准委

起草人

航空航天部8358研究所

推荐标准

申明

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