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  标准概要

掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
国家标准《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 峨嵋半导体材料研究所 。 GB/T 13389-1992 废止 GB/T 13389-2014 (全部代替) 本标准等同采用ITU国际标准:ASTM F723:1987。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 13389-1992
发布日期 1992-02-19
实施日期 1992-10-01
标准号 GB/T 13389-1992
发布日期 1992-02-19
实施日期 1992-10-01
  起草单位
  峨嵋半导体材料研究所
  起草人
  GB/T 13389-2014  掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
  20141812-T-339  掺稀土光纤 第4部分:掺铒光纤
  SJ/T 11498-2015  重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
  20231494-T-339  掺铒光纤放大器 第2部分:L波段掺铒光纤放大器
  20242164-T-609  光刻用掺钛石英玻璃
  20220863-T-333  燃气掺氢混气装置
  SY/T 6394-2009  油井水泥与外加剂(外掺料)干混作业与气力输送规程
  SL 157-2010  掺气减蚀模型试验规程
  GB/T 18898.2-2008  掺铒光纤放大器 L波段掺铒光纤放大器
  GB/T 28504.1-2012  掺稀土光纤 第1部分:双包层掺镱光纤特性
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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