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  标准概要

硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Valtage-capacitance method
国家标准《硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 上海市有色金属总公司 。 GB/T 14146-1993 废止 GB/T 14146-2009 (全部代替) 本标准非等效采用ITU国际标准:DIN 50439:1982。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 14146-1993
发布日期 1993-02-06
实施日期 1993-10-01
废止日期 2010-06-01
标准号 GB/T 14146-1993
发布日期 1993-02-06
实施日期 1993-10-01
废止日期 2010-06-01
  起草单位
  上海市有色金属总公司
  起草人
  GB/T 14146-2021  硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
  GB/T 11068-2006  砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
  SJ/T 10481-1994  硅外延层电阻率的面接触三探针方法
  GB/T 14141-2009  硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
  YS/T 23-2016  硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
  YS/T 23-1992  硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
  YS/T 15-2015  硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
  YS/T 15-1991  硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
  YS/T 14-2015  异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
  YS/T 14-1991  导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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