标准概要

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array

国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位峨眉半导体材料研究所。 GB/T 14141-1993 废止 GB/T 14141-2009 （全部代替）本标准等效采用ITU国际标准：ASTM 374:1984。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 14141-1993

发布日期 1993-02-06

实施日期 1993-10-01

废止日期 2010-06-01

标准号 GB/T 14141-1993

发布日期 1993-02-06

实施日期 1993-10-01

废止日期 2010-06-01

起草单位

峨眉半导体材料研究所

起草人

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

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申明

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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法