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  标准概要

硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法

Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques
国家标准《硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 峨眉半导体材料研究所 。 GB/T 14142-1993 废止 GB/T 14142-2017 (全部代替) 本标准非等效采用ITU国际标准:ASTM F80:1985。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 14142-1993
发布日期 1993-02-06
实施日期 1993-10-01
废止日期 2018-04-01
标准号 GB/T 14142-1993
发布日期 1993-02-06
实施日期 1993-10-01
废止日期 2018-04-01
  起草单位
  峨眉半导体材料研究所
  起草人
  GB/T 14142-2017  硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
  YS/T 23-2016  硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
  YS/T 23-1992  硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
  YS/T 14-2015  异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
  YS/T 14-1991  导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
  YS/T 15-2015  硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
  YS/T 15-1991  硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
  SJ/T 10481-1994  硅外延层电阻率的面接触三探针方法
  20240143-T-469  重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
  20243061-T-469  300 mm硅外延片
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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