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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 机电部四十六所 。 GB/T 14847-1993 废止 GB/T 14847-2010 (全部代替) 本标准等效采用ITU国际标准:ASTM F95:1989。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 14847-1993
发布日期 1993-12-30
实施日期 1994-09-01
废止日期 2011-10-01
标准号 GB/T 14847-1993
发布日期 1993-12-30
实施日期 1994-09-01
废止日期 2011-10-01
  起草单位
  机电部四十六所
  起草人
  20240143-T-469  重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
  GB/T 14847-2010  重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
  YS/T 14-2015  异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
  YS/T 14-1991  导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
  GB/T 42905-2023  碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
  YS/T 23-2016  硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
  YS/T 23-1992  硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
  YS/T 15-2015  硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
  YS/T 15-1991  硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法
  GB/T 8758-2006  砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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