标准概要

用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位机械电子工业部46所和4所。 GB/T 14863-1993 废止 GB/T 14863-2013 （全部代替）

基础信息

标准号 GB/T 14863-1993

发布日期 1993-12-30

实施日期 1994-10-01

废止日期 2014-08-15

标准号 GB/T 14863-1993

发布日期 1993-12-30

实施日期 1994-10-01

废止日期 2014-08-15

起草单位

机械电子工业部46所和4所

起草人

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申明

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