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  标准概要

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors
国家标准《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 电子工业部标准化研究所 。 GB 4586-1984 (全部代替) GB/T 4586-1994 现行 20061346-T-339 暂缓 20242947-T-339 正在起草 本标准等同采用IEC国际标准:IEC 747-8:1984。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 4586-1994
发布日期 1994-12-30
实施日期 1995-08-01
全部代替标准 GB 4586-1984
标准号 GB/T 4586-1994
发布日期 1994-12-30
实施日期 1995-08-01
全部代替标准 GB 4586-1984
  起草单位
  电子工业部标准化研究所
  起草人
  20242947-T-339  半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
  SJ/T 9014.8.2-2018  半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
  20201543-T-339  半导体器件 分立器件 第15部分:绝缘功率半导体器件
  GB/T 6219-1998  半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
  20231772-T-339  电子元器件 半导体器件长期贮存 第8部分:无源电子器件
  GB/T 20516-2006  半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
  GB/T 21039.1-2007  半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
  20193134-T-339  半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分:密封
  GB/T 15651-1995  半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
  GB/T 17573-1998  半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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