标准概要

硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法

Test method for resistivity of silicon and germanium bars using a two-point probe

国家标准《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位上海有色金属工业总公司。 GB 1551-1979 （全部代替） GB 5253-1985 （全部代替） GB/T 1551-1995 废止 GB/T 1551-2009 （全部代替）本标准非等效采用ITU国际标准：ASTM F397:1988。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 1551-1995

发布日期 1995-04-18

实施日期 1995-12-01

废止日期 2010-06-01

标准号 GB/T 1551-1995

发布日期 1995-04-18

实施日期 1995-12-01

废止日期 2010-06-01

起草单位

上海有色金属工业总公司

起草人

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申明

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硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法