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  标准概要

硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
国家标准《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。 GB 4058-1983 (全部代替) GB 6622-1986 (全部代替) GB 6623-1986 (全部代替) GB/T 4058-1995 废止 GB/T 4058-2009 (全部代替) 本标准等效采用ITU国际标准:ASTM F47:1988。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 4058-1995
发布日期 1995-04-18
实施日期 1995-12-01
废止日期 2010-06-01
标准号 GB/T 4058-1995
发布日期 1995-04-18
实施日期 1995-12-01
废止日期 2010-06-01
  起草单位
  峨嵋半导体材料厂
  起草人
  GB/T 4058-2009  硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
  GB/T 6624-2009  硅抛光片表面质量目测检验方法
  YS/T 25-1992  硅抛光片表面清洗方法
  GB/T 28628-2012  材料诱生空气离子量测试方法
  NY/T 1519-2007  生咖啡 缺陷参考图
  YS/T 24-2016  外延钉缺陷的检验方法
  YS/T 24-1992  外延钉缺陷的检验方法
  JB/T 6061-1992  焊缝磁粉检验方法和缺陷磁痕的分级
  JB/T 6062-1992  焊缝渗透检验方法和缺陷迹痕的分级
  20240138-T-469  氮化铝单晶抛光片
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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