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  标准概要

硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
国家标准《硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 上海有色金属研究所 。 GB 1552-1979 (全部代替) GB 5251-1985 (全部代替) GB 6615-1986 (全部代替) GB/T 1552-1995 废止 GB/T 1551-2009 (全部代替) 本标准非等效采用ITU国际标准:ASTM F397:1988。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 1552-1995
发布日期 1995-04-18
实施日期 1995-12-01
废止日期 2010-06-01
标准号 GB/T 1552-1995
发布日期 1995-04-18
实施日期 1995-12-01
废止日期 2010-06-01
  起草单位
  上海有色金属研究所
  起草人
  GB/T 1551-2021  硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
  GB/T 14141-2009  硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
  GB/T 26074-2010  锗单晶电阻率直流四探针测量方法
  GB/T 39978-2021  纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
  DB13/T 5026.3-2019  石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分:浆料极片电阻率的测定 四探针法
  YB/T 6166-2024  石墨烯薄膜 方块电阻的测定 四探针法
  YS/T 602-2017  区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
  YS/T 602-2007  区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
  GB/T 6617-2009  硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
  DB13/T 5255-2020  石墨烯导电油墨方阻的测定 四探针法
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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