标准概要

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductorfilms with a noncontact eddy-current gage

国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位上海有色金属研究所。 GB 6616-1986 （全部代替） GB/T 6616-1995 废止 GB/T 6616-2009 （全部代替）本标准等效采用ITU国际标准：ASTM F673:1990。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 6616-1995

发布日期 1995-04-18

实施日期 1995-12-01

废止日期 2010-06-01

标准号 GB/T 6616-1995

发布日期 1995-04-18

实施日期 1995-12-01

废止日期 2010-06-01

起草单位

上海有色金属研究所

起草人

GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法

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申明

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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法

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