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硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe
国家标准《硅片电阻率测定 扩展电阻探针法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 上海有色金属研究所 。 GB 6617-1986 (全部代替) GB/T 6617-1995 废止 GB/T 6617-2009 (全部代替) 本标准等效采用ITU国际标准:ASTM F673:1990。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 6617-1995
发布日期 1995-04-18
实施日期 1995-12-01
废止日期 2010-06-01
标准号 GB/T 6617-1995
发布日期 1995-04-18
实施日期 1995-12-01
废止日期 2010-06-01
  起草单位
  上海有色金属研究所
  起草人
  GB/T 6617-2009  硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
  20233945-T-610  硅片径向电阻率变化测量方法
  GB/T 1551-2021  硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
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  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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