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  标准概要

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管

Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes
国家标准《半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 电子工业部标准化研究所 。 GB 6571-1986 (全部代替) GB/T 6571-1995 现行 20233066-T-339 正在审查 本标准等同采用IEC国际标准:IEC 747-3:1985。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 6571-1995
发布日期 1995-07-24
实施日期 1996-04-01
全部代替标准 GB 6571-1986
标准号 GB/T 6571-1995
发布日期 1995-07-24
实施日期 1996-04-01
全部代替标准 GB 6571-1986
  起草单位
  电子工业部标准化研究所
  起草人
  20233066-T-339  半导体分立器件 第3部分:信号、开关和调整二极管
  GB/T 6588-2000  半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
  GB/T 6589-2002  半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范
  20201543-T-339  半导体器件 分立器件 第15部分:绝缘功率半导体器件
  GB/T 4023-2015  半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
  GB/T 6351-1998  半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
  20232773-T-339  半导体分立器件 第2部分:整流二极管
  20242947-T-339  半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
  20231891-T-339  半导体分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管
  GB/T 17573-1998  半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
  推荐标准
  申明
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