标准概要

半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement

国家标准《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所。主要起草人彭同华、佘宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜。 GB/T 42271-2022 现行

基础信息

标准号 GB/T 42271-2022

发布日期 2022-12-30

实施日期 2023-04-01

标准号 GB/T 42271-2022

发布日期 2022-12-30

实施日期 2023-04-01

起草单位

北京天科合达半导体股份有限公司

安徽长飞先进半导体有限公司

中国电子科技集团公司第四十六研究所

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

有色金属技术经济研究院有限责任公司

起草人

彭同华

佘宗静

李素青

王波

刘立娜

王大军

张贺

杨建

袁松

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