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  标准概要

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 2:Rectifier diodes
国家标准《半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 中国振华集团永光电工厂 。 GB/T 4023-1986 (全部代替) GB/T 4023-1997 废止 GB/T 4023-2015 (全部代替) 本标准等效采用IEC国际标准:IEC 747-2:1983。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 4023-1997
发布日期 1997-10-07
实施日期 1998-09-01
废止日期 2017-01-01
全部代替标准 GB/T 4023-1986
标准号 GB/T 4023-1997
发布日期 1997-10-07
实施日期 1998-09-01
废止日期 2017-01-01
全部代替标准 GB/T 4023-1986
  起草单位
  中国振华集团永光电工厂
  起草人
  GB/T 4023-2015  半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
  20232773-T-339  半导体分立器件 第2部分:整流二极管
  20201543-T-339  半导体器件 分立器件 第15部分:绝缘功率半导体器件
  GB/T 17573-1998  半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
  GB/T 15651-1995  半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
  GB/T 6351-1998  半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
  GB/T 4589.1-2006  半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范
  20242947-T-339  半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
  GB/T 15651.2-2003  半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性
  SJ/T 9014.8.2-2018  半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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