标准概要

非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for deep level EL2 concentration of undoped semiinsulating monocrystal gallium arsenide by measurement infra-red absorption method

国家标准《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位电子工业部第四十六研究所。 GB/T 17170-1997 废止 GB/T 17170-2015 （全部代替）

基础信息

标准号 GB/T 17170-1997

发布日期 1997-12-22

实施日期 1998-08-01

废止日期 2016-07-01

标准号 GB/T 17170-1997

发布日期 1997-12-22

实施日期 1998-08-01

废止日期 2016-07-01

起草单位

电子工业部第四十六研究所

起草人

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申明

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