标准概要

半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

国家标准《半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位电子工业部标准化研究所。 GB 6352-1986 （全部代替） GB/T 6352-1998 现行本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-6-1:1989 QC 750110。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 6352-1998

发布日期 1998-11-17

实施日期 1999-06-01

全部代替标准 GB 6352-1986

标准号 GB/T 6352-1998

发布日期 1998-11-17

实施日期 1999-06-01

全部代替标准 GB 6352-1986

起草单位

电子工业部标准化研究所

起草人

GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

GB/T 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范

GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

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申明

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半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范