标准概要

半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes--Section One--Blank detail specification for signal diodes，switching diodes and controlled-avalanche diodes

国家标准《半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位信息产业部电子工业标准化研究所。 GB/T 6588-1986 （全部代替） GB/T 6588-2000 现行本标准等效采用IEC国际标准：IEC 747-3-1:1986 QC 750001。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 6588-2000

发布日期 2000-10-17

实施日期 2001-10-01

全部代替标准 GB/T 6588-1986

标准号 GB/T 6588-2000

发布日期 2000-10-17

实施日期 2001-10-01

全部代替标准 GB/T 6588-1986

起草单位

信息产业部电子工业标准化研究所

起草人

GB/T 6589-2002 半导体器件分立器件第3-2部分:信号（包括开关）和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管（不包括温度补偿精密基准二极管）空白详细规范

20233066-T-339 半导体分立器件第3部分：信号、开关和调整二极管

GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调整二极管

GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

GB/T 18904.3-2002 半导体器件第12-3部分:光电子器件显示用发光二极管空白详细规范

20232773-T-339 半导体分立器件第2部分：整流二极管

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20231891-T-339 半导体分立器件第4部分：微波二极管和晶体管

GB/T 21039.1-2007 半导体器件分立器件第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范

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申明

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