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  标准概要

半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范

Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
国家标准《半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 中国电子技术标准化研究所(CESI) 。 GB/T 6589-1986 (全部代替) GB/T 6589-2002 现行 本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-3-2:1986 QC 750005。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 6589-2002
发布日期 2002-12-04
实施日期 2003-05-01
全部代替标准 GB/T 6589-1986
标准号 GB/T 6589-2002
发布日期 2002-12-04
实施日期 2003-05-01
全部代替标准 GB/T 6589-1986
  起草单位
  中国电子技术标准化研究所(CESI)
  起草人
  GB/T 6588-2000  半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
  20233066-T-339  半导体分立器件 第3部分:信号、开关和调整二极管
  GB/T 6571-1995  半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
  GB/T 6351-1998  半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
  SJ/T 10031-1991  电流调整二极管详细规范
  GB/T 16894-1997  大于100A,环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
  20232773-T-339  半导体分立器件 第2部分:整流二极管
  20231891-T-339  半导体分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管
  SJ/T 11393-2009  半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
  GB/T 4023-2015  半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
  推荐标准
  申明
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