标准概要

硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法

Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

国家标准《硅片氧沉淀特性的测定间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位洛阳单晶硅有限责任公司。 GB/T 19444-2004 现行 20231107-T-469 正在征求意见

基础信息

标准号 GB/T 19444-2004

发布日期 2004-02-05

实施日期 2004-07-01

标准号 GB/T 19444-2004

发布日期 2004-02-05

实施日期 2004-07-01

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

起草人

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