标准概要

半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范

Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

国家标准《半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。 GB/T 13150-1991 （全部代替） GB/T 13150-2005 现行本标准非等效采用IEC国际标准：IEC 60747-6-2:1991。采标中文名称:。

基础信息

标准号 GB/T 13150-2005

发布日期 2005-03-23

实施日期 2005-10-01

全部代替标准 GB/T 13150-1991

标准号 GB/T 13150-2005

发布日期 2005-03-23

实施日期 2005-10-01

全部代替标准 GB/T 13150-1991

起草单位

GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

GB/T 6352-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

JB/T 7628-1994 KN系列100A/60A至400A/400A管壳额定逆导三极晶闸管详细规范

GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

GB/T 7576-1998 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

JB/T 8950.2-1999 电流大于100A普通晶闸管

JB 5838-1991 KP系列1000A以上管壳额定反向阻断三极晶闸管

JB 5839-1991 KH系列200A以上管壳额定反向阻断三极高压晶闸管

起草人

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申明

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