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  标准概要

碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
国家标准《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 安徽长飞先进半导体有限公司 、安徽芯乐半导体有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、广东天域半导体股份有限公司 、南京国盛电子有限公司 、浙江芯科半导体有限公司 、布鲁克(北京)科技有限公司 、中国科学院半导体研究所 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 。 主要起草人 钮应喜 、刘敏 、袁松 、赵丽霞 、丁雄杰 、吴会旺 、仇光寅 、李素青 、李京波 、张会娟 、赵跃 、彭铁坤 、雷浩东 、闫果果 。 GB/T 42905-2023 现行
  基础信息
标准号 GB/T 42905-2023
发布日期 2023-08-06
实施日期 2024-03-01
标准号 GB/T 42905-2023
发布日期 2023-08-06
实施日期 2024-03-01
  起草单位
  安徽长飞先进半导体有限公司
  河北普兴电子科技股份有限公司
  南京国盛电子有限公司
  布鲁克(北京)科技有限公司
  有色金属技术经济研究院有限责任公司
  安徽芯乐半导体有限公司
  广东天域半导体股份有限公司
  浙江芯科半导体有限公司
  中国科学院半导体研究所
  起草人
  钮应喜
  刘敏
  丁雄杰
  吴会旺
  李京波
  张会娟
  雷浩东
  闫果果
  袁松
  赵丽霞
  仇光寅
  李素青
  赵跃
  彭铁坤
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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