标准概要

碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法

Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所。主要起草人钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果。 GB/T 42902-2023 现行

基础信息

标准号 GB/T 42902-2023

发布日期 2023-08-06

实施日期 2024-03-01

标准号 GB/T 42902-2023

发布日期 2023-08-06

实施日期 2024-03-01

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司

安徽芯乐半导体有限公司

浙江芯科半导体有限公司

中国科学院半导体研究所

广东天域半导体股份有限公司

南京国盛电子有限公司

河北普兴电子科技股份有限公司

起草人

钮应喜

袁松

仇光寅

李京波

杨龙

闫果果

张会娟

刘敏

彭铁坤

袁肇耿

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申明

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