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  标准概要

碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法

Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 安徽长飞先进半导体有限公司 、广东天域半导体股份有限公司 、安徽芯乐半导体有限公司 、南京国盛电子有限公司 、浙江芯科半导体有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、中国科学院半导体研究所 。 主要起草人 钮应喜 、袁松 、张会娟 、刘敏 、仇光寅 、李京波 、彭铁坤 、袁肇耿 、杨龙 、闫果果 。 GB/T 42902-2023 现行
  基础信息
标准号 GB/T 42902-2023
发布日期 2023-08-06
实施日期 2024-03-01
标准号 GB/T 42902-2023
发布日期 2023-08-06
实施日期 2024-03-01
  起草单位
  安徽长飞先进半导体有限公司
  安徽芯乐半导体有限公司
  浙江芯科半导体有限公司
  中国科学院半导体研究所
  广东天域半导体股份有限公司
  南京国盛电子有限公司
  河北普兴电子科技股份有限公司
  起草人
  钮应喜
  袁松
  仇光寅
  李京波
  杨龙
  闫果果
  张会娟
  刘敏
  彭铁坤
  袁肇耿
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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