硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法

国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》 由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。 主要起草单位 有研半导体硅材料股份公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、广州昆德半导体测试技术有限公司 、青海芯测科技有限公司 、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 、浙江海纳半导体股份有限公司 、洛阳中硅高科技有限公司 、江苏中能硅业科技发展有限公司 、宜昌南玻硅材料有限公司 、江苏鑫华半导体科技股份有限公司 、亚洲硅业（青海）股份有限公司 、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 、云南驰宏国际锗业有限公司 。 主要起草人 孙燕 、宁永铎 、李素青 、朱晓彤 、贺东江 、王昕 、薛心禄 、徐岩 、潘金平 、严大洲 、王彬 、蔡云鹏 、田新 、赵培芝 、冉胜国 、韩成福 、普世坤 、蔡丽艳 、高源 、赵晶 、崔丁方 。 GB/T 1553-2009 （全部代替） GB/T 1553-2023 现行