标准概要

硅单晶电阻率测定方法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon

国家标准《硅单晶电阻率测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。主要起草人李静、何秀坤、张继荣、段曙光。 GB/T 1551-1995 （全部代替） GB/T 1552-1995 （全部代替） GB/T 1551-2009 废止 GB/T 1551-2021 （全部代替）本标准修改采用其他国际标准：SEMI MF 84-1105、SEMI MF 397-1106。采标中文名称:硅片电阻率测定四探针法、硅棒电阻率测定两探针法。

基础信息

标准号 GB/T 1551-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2021-12-01

全部代替标准 GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995

标准号 GB/T 1551-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2021-12-01

全部代替标准 GB/T 1551-1995,GB/T 1552-1995

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心

中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人

李静

何秀坤

张继荣

段曙光

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申明

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