标准概要

低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

国家标准《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位四川新光硅业科技有限责任公司。主要起草人梁洪、过惠芬、吴道荣。 GB/T 24581-2009 废止 GB/T 24581-2022 （全部代替）本标准等同采用其他国际标准：SEMI MF 1630-0704。采标中文名称:低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法。

基础信息

标准号 GB/T 24581-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2022-10-01

标准号 GB/T 24581-2009

发布日期 2009-10-30

实施日期 2010-06-01

废止日期 2022-10-01

起草单位

四川新光硅业科技有限责任公司

起草人

梁洪

过惠芬

吴道荣

推荐标准

GB/T 30776-2014 胶粘带拉伸强度与断裂伸长率的试验方法

GB/T 22362-2008 实验室玻璃仪器烧瓶

GB/T 9439-1988 灰铸铁件

GB/T 44571-2024 人造革合成革试验方法游离异氰酸酯含量的测定

GB/T 311.6-2005 高电压测量标准空气间隙

GB/T 33224-2016 制冷和供热用机械制冷系统环境影响评价方法

GB/T 9446-1988 焊接用插销冷裂纹试验方法

GB/T 33674-2017 气象数据集核心元数据

GB 5085.1-1996 危险废物鉴别标准腐蚀性鉴别

GB 19341-2003 育果袋纸

申明

本内容来源于国家标准化管理委员会及相关官方平台，本内容目的仅在于分享交流与学习。

关键词标签

北京团体