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  标准概要

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
国家标准《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 万向硅峰电子股份有限公司 。 主要起草人 楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。 GB/T 6616-1995 (全部代替) GB/T 6616-2009 废止 GB/T 6616-2023 (全部代替) 本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF673-1105。 采标中文名称:用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
  基础信息
标准号 GB/T 6616-2009
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
废止日期 2024-03-01
全部代替标准 GB/T 6616-1995
标准号 GB/T 6616-2009
发布日期 2009-10-30
实施日期 2010-06-01
废止日期 2024-03-01
全部代替标准 GB/T 6616-1995
  起草单位
  万向硅峰电子股份有限公司
  起草人
  楼春兰
  朱兴萍
  戴文仙
  方强
  汪新平
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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