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标准概要
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
国家标准《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。 主要起草人 何兰英 、王炎 、张辉坚 、刘阳 。 GB/T 4058-1995 (全部代替) GB/T 4058-2009 现行
基础信息
标准号
GB/T 4058-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
全部代替标准
GB/T 4058-1995
标准号
GB/T 4058-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
全部代替标准
GB/T 4058-1995
起草单位
峨嵋半导体材料厂
起草人
何兰英
王炎
张辉坚
刘阳
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