标准概要

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心。主要起草人李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤。 GB/T 14847-1993 （全部代替） GB/T 14847-2010 现行 20240143-T-469 正在起草

基础信息

标准号 GB/T 14847-2010

发布日期 2011-01-10

实施日期 2011-10-01

全部代替标准 GB/T 14847-1993

标准号 GB/T 14847-2010

发布日期 2011-01-10

实施日期 2011-10-01

全部代替标准 GB/T 14847-1993

起草单位

宁波立立电子股份有限公司

信息产业部专用材料质量监督检验中心

起草人

李慎重

何良恩

何秀坤

许峰

刘培东

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