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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 宁波立立电子股份有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。 主要起草人 李慎重 、何良恩 、许峰 、刘培东 、何秀坤 。 GB/T 14847-1993 (全部代替) GB/T 14847-2010 现行 20240143-T-469 正在起草
  基础信息
标准号 GB/T 14847-2010
发布日期 2011-01-10
实施日期 2011-10-01
全部代替标准 GB/T 14847-1993
标准号 GB/T 14847-2010
发布日期 2011-01-10
实施日期 2011-10-01
全部代替标准 GB/T 14847-1993
  起草单位
  宁波立立电子股份有限公司
  信息产业部专用材料质量监督检验中心
  起草人
  李慎重
  何良恩
  何秀坤
  许峰
  刘培东
  推荐标准
  申明
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