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标准概要
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
国家标准《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 宁波立立电子股份有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。 主要起草人 李慎重 、何良恩 、许峰 、刘培东 、何秀坤 。 GB/T 14847-1993 (全部代替) GB/T 14847-2010 现行 20240143-T-469 正在起草
基础信息
标准号
GB/T 14847-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
全部代替标准
GB/T 14847-1993
标准号
GB/T 14847-2010
发布日期
2011-01-10
实施日期
2011-10-01
全部代替标准
GB/T 14847-1993
起草单位
宁波立立电子股份有限公司
信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人
李慎重
何良恩
何秀坤
许峰
刘培东
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