标准概要

用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。主要起草单位信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。主要起草人何秀坤、董颜辉、周智慧、段曙光等。 GB/T 14863-1993 （全部代替） GB/T 14863-2013 废止

基础信息

标准号 GB/T 14863-2013

发布日期 2013-12-31

实施日期 2014-08-15

废止日期 2017-12-15

全部代替标准 GB/T 14863-1993

标准号 GB/T 14863-2013

发布日期 2013-12-31

实施日期 2014-08-15

废止日期 2017-12-15

全部代替标准 GB/T 14863-1993

起草单位

信息产业部专用材料质量监督检验中心

中国电子技术标准化研究院

中国电子科技集团公司第四十六研究所

起草人

何秀坤

董颜辉

周智慧

段曙光

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申明

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