标准概要

碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

国家标准《碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。主要起草人丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴等。 GB/T 30867-2014 现行 20231112-T-469 正在征求意见

基础信息

标准号 GB/T 30867-2014

发布日期 2014-07-24

实施日期 2015-02-01

标准号 GB/T 30867-2014

发布日期 2014-07-24

实施日期 2015-02-01

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所

中国电子技术标准化研究院

起草人

丁丽

周智慧

郝建民

蔺娴

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申明

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