标准概要

椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法

Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer

国家标准《椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。主要起草单位上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心。主要起草人金承钰、李威、梁齐、路庆华、何丹农、张冰。 GB/T 31225-2014 现行

基础信息

标准号 GB/T 31225-2014

发布日期 2014-09-30

实施日期 2015-04-15

标准号 GB/T 31225-2014

发布日期 2014-09-30

实施日期 2015-04-15

起草单位

上海交通大学

纳米技术及应用国家工程研究中心

起草人

金承钰

李威

何丹农

张冰

梁齐

路庆华

推荐标准

申明

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