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  标准概要

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 有研半导体材料股份有限公司 、四川新光硅业科技有限责任公司 、中国计量科学研究院 、浙江省硅材料质量检验中心 、杭州海纳半导体有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、西安隆基硅材料股份有限公司 。 主要起草人 孙燕 、梁洪 、高英 、楼春兰 、张静 、王飞尧等 。 GB/T 13389-1992 (全部代替) GB/T 13389-2014 现行
  基础信息
标准号 GB/T 13389-2014
发布日期 2014-12-31
实施日期 2015-09-01
全部代替标准 GB/T 13389-1992
标准号 GB/T 13389-2014
发布日期 2014-12-31
实施日期 2015-09-01
全部代替标准 GB/T 13389-1992
  起草单位
  有研半导体材料股份有限公司
  中国计量科学研究院
  杭州海纳半导体有限公司
  西安隆基硅材料股份有限公司
  四川新光硅业科技有限责任公司
  浙江省硅材料质量检验中心
  浙江金瑞泓科技股份有限公司
  起草人
  孙燕
  梁洪
  张静
  王飞尧
  高英
  楼春兰
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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