标准概要

半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy

国家标准《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。主要起草人何秀坤、李静、张雪囡。 GB/T 17170-1997 （全部代替） GB/T 17170-2015 现行

基础信息

标准号 GB/T 17170-2015

发布日期 2015-12-10

实施日期 2016-07-01

全部代替标准 GB/T 17170-1997

标准号 GB/T 17170-2015

发布日期 2015-12-10

实施日期 2016-07-01

全部代替标准 GB/T 17170-1997

起草单位

信息产业专用材料质量监督检验中心

中国电子材料行业协会

天津市环欧半导体材料技术有限公司

起草人

何秀坤

李静

张雪囡

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申明

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