标准概要

硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique

国家标准《硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位南京国盛电子有研公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司。主要起草人马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英。 GB/T 14142-1993 （全部代替） GB/T 14142-2017 现行

基础信息

标准号 GB/T 14142-2017

发布日期 2017-09-29

实施日期 2018-04-01

全部代替标准 GB/T 14142-1993

标准号 GB/T 14142-2017

发布日期 2017-09-29

实施日期 2018-04-01

全部代替标准 GB/T 14142-1993

起草单位

南京国盛电子有研公司

浙江金瑞泓科技股份有限公司

有研半导体材料有限公司

起草人

马林宝

骆红

陈赫

张海英

杨帆

刘小青

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申明

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