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标准概要
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
国家标准《低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 、中科院半导体研究所 。 主要起草人 惠峰 、普世坤 、董汝昆 。 GB/T 34481-2017 现行
基础信息
标准号
GB/T 34481-2017
发布日期
2017-10-14
实施日期
2018-07-01
标准号
GB/T 34481-2017
发布日期
2017-10-14
实施日期
2018-07-01
起草单位
云南中科鑫圆晶体材料有限公司
中科院半导体研究所
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
起草人
惠峰
普世坤
董汝昆
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申明
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