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功率半导体发光二极管芯片技术规范

Technical specification for power light-emitting diode chips
国家标准《功率半导体发光二极管芯片技术规范》 由339-1(工业和信息化部(电子))归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 、国家半导体器件质量监督检验中心 、中国电子技术标准化研究院 、厦门市三安光电科技有限公司 。 主要起草人 张瑞霞 、赵敏 、黄杰 、赵英 、刘秀娟 、蔡伟智 、彭浩 、刘东月 、张晨朝 。 GB/T 36356-2018 现行
  基础信息
标准号 GB/T 36356-2018
发布日期 2018-06-07
实施日期 2019-01-01
标准号 GB/T 36356-2018
发布日期 2018-06-07
实施日期 2019-01-01
  起草单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所
  中国电子技术标准化研究院
  国家半导体器件质量监督检验中心
  厦门市三安光电科技有限公司
  起草人
  张瑞霞
  赵敏
  刘秀娟
  蔡伟智
  张晨朝
  黄杰
  赵英
  彭浩
  刘东月
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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